4N HfO2, legiruotas 2 % Ti
4N HfO2, legiruotas 2 % Ti

4N HfO2, legiruotas 2 % Ti

2 % Ti- legiruoto HfO₂ purškimo taikinys pagamintas naudojant didelio -grynumo hafnio oksido substratą, tiksliai legiruotą 2 % titano. Dėl savo sudėties vienodumo ir didelio tankio jis idealiai tinka optiniam padengimui, puslaidininkių plonasluoksnių {{5}plėvelių nusodinimui ir funkcinių dangų paruošimui. Pasižymėdamas puikiu terminiu stabilumu ir elektrinėmis savybėmis, taikinys užtikrina stabilų ir valdomą purškimo procesą, taip palengvindamas tikslų aukščiausios klasės -plonų{8}} plėvelių medžiagų nusodinimą.
Siųsti užklausą
4N HfO2, legiruoto su 2% Ti, aprašymas

 

HfO2, legiruotas 2 % Ti taikiniu, yra funkcinės medžiagos pirmtakas, paruoštas taikant tikslią atominio{2} lygio legiravimo metodiką. Iš esmės ši medžiaga apima titano įvedimą į hafnio dioksido matricą, kurio molinis santykis yra 2%, ir susidaro kietas tirpalas, kuriame Ti⁴⁺ jonai iš dalies pakeičia Hf⁴⁺ jonus HfO2 kristalų gardelėje. Šis dopingo procesas nėra tik paprastas fizinis mišinys; veikiau sukurtas taip, kad aktyviai moduliuotų medžiagos mikrostruktūrą ir elektronines savybes, taip suteikdamas jai specifines funkcijas, kurios pranoksta gryno HfO₂. Fizinė purškiamo taikinio forma yra svarbi priemonė jį taikant pažangiose plonos plėvelės gamybos technologijose. Tokie taikiniai turi atitikti griežtus aukšto grynumo (paprastai 99,99 % ar didesnio), didelio tankio ir sudėties vienodumo standartus. Didelis grynumas yra būtinas, kad nekontroliuojamos priemaišos nepakenktų susidariusios plonos plėvelės veikimui; Ir atvirkščiai, didelis tankis ir vienodumas užtikrina plėvelės sudėties stabilumą ir jos nusodinimo greitį purškimo proceso metu, todėl plona plėvelė gali tiksliai „paveldėti“ suprojektuotas tikslinės medžiagos savybes.

 

4N HfO2, legiruoto su 2% Ti, taikymas

 

Išplėstinė puslaidininkinė atmintis: ypač feroelektrinės atsitiktinės{0}}prieigos atminties (FeRAM) srityje. Titano dopingas padeda stabilizuoti feroelektrinę ortorombinę HfO₂ fazę, suteikdamas jai puikias feroelektrines perjungimo charakteristikas, atitinkančias didelio -tankio ir mažos{3} galios atminties įrenginių reikalavimus.
Aukštos-dielektrinės-konstantos (aukštos-κ) vartų dielektrikai: integriniuose grandynuose jis tarnauja kaip tranzistorių užtvarų dielektrinis sluoksnis; išnaudodamas savo didelę dielektrinę konstantą, jis efektyviai sumažina fizinį storį, išlaikant puikias izoliacijos savybes ir patikimumą.
Funkcinės dangos ir optinės plonos plėvelės: naudojant aukštą lūžio rodiklį, puikų cheminį stabilumą ir optines savybes, -kurias galima suderinti naudojant legiravimą-, jis naudojamas specialiose optinėse dangose ​​arba apsauginiuose sluoksniuose.

 

4N HfO2, legiruoto su 2% Ti, specifikacijos

 

Dydis: 50,8 mm sk. *3mm tk

Sujungimo tipas: In

Galinė plokštė: Cu

Galinės plokštės dydis: 50,8 mm skersmuo * 3 mm tk

 

Kokybės kontrolė ir 4N HfO2, legiruoto su 2 % Ti, bandymas

 

1QC

 

DUK apie 4N HfO2, legiruotą 2% Ti Target

 

Ar tu a gamykla arba agamintojas?
A: Taip, mes esame 4N HfO2 legiruotas su 2% Ti Target gamykla, tačiau verslui užsienyje tvarkyti paprastai naudojame savo prekybos įmonę. Bus patogiau gauti perlaidą ir susitarti dėl siuntos.

Koks yra pristatymo būdas?
A: Paprastai 4N HfO2 legiruotą su 2% Ti Target siunčiame UPS, DHL arba FedEx. Taip pat galime išsiųsti jūra į jūrų uostą arba oru į artimiausią oro uostą.

Kodėl jūsų 4N HfO2, legiruotas 2 % Ti Target, toks ekonomiškas{3}}?
A. Gamybos proceso pabaigoje pašaliname tarpininkus, o žaliavą gauname tiesiai iš jos šaltinio.

Ar atliekate vietos kokybės patikrinimąproduktų?
A: 100% pilnas patikrinimas tikrai. Visi nekvalifikuoti 4N HfO2, legiruoti 2% Ti, yra išmetami.

Kaip užtikrinate savo pristatymo laiką?
A: Nuo medžiagos paruošimo iki apdirbimo ir galiausiai iki pilno patikrinimo. Kiekvienas gamybos etapas yra griežtai stebimas ir kontroliuojamas, kad būtų užtikrintas tikslus pristatymo laikas.

Koks yra 4N HfO2, legiruoto 2 % Ti Target, MOQ?
A: Priklauso nuo 4N HfO2, legiruoto su 2% Ti Target, kiekio; paprastai nėra MOQ apribojimo.

Kaip mokėti užproduktus?
A: Banko pavedimas (T/T) bus priimtinas.

Koks yra pristatymo laikas?
A: Maždaug 7-20 dienų, tai priklauso nuo 4N HfO2, legiruoto 2% Ti Target, kiekio ir gamybos.

Kokia tai pakuotė?
A: Paprastai mes naudojame kartoninį dėklą arba faneros dėklą su apsaugine medžiaga viduje, kad užtikrintume 4N HfO2, legiruoto su 2% Ti Target, saugumą.

Koks yra pristatymo laikas?
A: Nuo užsakymo iki krovinio gavimo užtruks apie 10-25 dienas.

 

4

 

Populiarus Žymos: 4n hfo2 legiruotas su 2% ti taikiniu, Kinija 4n hfo2 legiruotas su 2% ti tikslinių tiekėjų, gamykla