Silicio (Si) purškimo taikinys

Polikristalinis silicis, dar vadinamas poli-siliciu arba poli-Si, yra didelio grynumo polikristalinis silicis, naudojamas kaip žaliava saulės fotovoltinės ir elektronikos pramonėje. Polisilicis gaminamas iš metalurginio tipo silicio cheminio valymo būdu, vadinamu Siemens procesu. Šis procesas apima lakiųjų silicio junginių distiliavimą ir jų skaidymą į silicį aukštoje temperatūroje. Atsirandančiame alternatyviame tobulinimo procese naudojamas verdančio sluoksnio reaktorius.

Fotoelektros pramonė taip pat gamina patobulintą metalurginio lygio silicį (UMG-Si), naudodama metalurginius, o ne cheminio valymo procesus. Kai gaminama elektronikos pramonei, polisilicio priemaišų lygis yra mažesnis nei viena milijardo dalis (ppb), o polikristalinis saulės energijos tipo silicis (SoG-Si) paprastai yra mažiau grynas.

Polisilicio žaliava – dideli strypai, paprastai suskaidomi į tam tikro dydžio gabalėlius ir prieš išsiunčiant supakuoti į švarias patalpas – yra tiesiogiai išliejami į daugiakristalinius luitus arba perkristalizuojami, kad būtų išauginti monokristaliniai rutuliukai. Tada produktai supjaustomi į plonas silicio plokšteles ir naudojami saulės elementų, integrinių grandynų ir kitų puslaidininkinių prietaisų gamybai.

Silicio purškimo taikinys, kaip labai svarbi funkcinė medžiaga, daugiausia naudojama SiO2, Si3N4 ir kitiems dielektriniams sluoksniams nusodinti magnetinio purškimo būdu. Tos plonos plėvelės pasižymi puikiu kietumu, optinėmis, dielektrinėmis savybėmis, atsparumu dilimui ir korozijai, kuris plačiai taikomas skystųjų kristalų skaidraus laidžio stiklo, LOW-E statybinio stiklo ir mikroelektronikos srityse.

SiAl plokštuminis / sukamasis taikinys

SiO2 purškimo taikinys

SiC purškimo taikinys

Si3N4 purškimo taikinys

Populiarus Žymos: silicio (si) purškimo taikinys, Kinijos silicio (si) purškimo taikinio tiekėjai, gamykla